在當前因為市場不確定因素增加，以及新冠肺炎疫情恐將影響存儲器后續(xù)市場發(fā)展的情況下，主要存儲器廠商皆不輕易擴增產(chǎn)能，反而以優(yōu)化制程技術的方式來增加其供應的能力。因此，根據(jù)韓國媒體報導，存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)的相關內(nèi)部人士透露，該公司已開始研發(fā)第4代10納米級制程(1a)的DRAM，內(nèi)部代號為“南極星”(Canopus)，而且預計將在制程中導入EUV曝光技術。

報導指出，目前SK海力士最先進的DRAM產(chǎn)品主要以10納米等級的1Y及1Z制程技術為主，這是屬于第2代及第3代的10納米等級制程。該公司計劃在2020年下半年將這兩種制程技術的生產(chǎn)比重提高到40%。此外，SK海力士還將繼續(xù)發(fā)展新一代的DRAM制程技術。

報導進一步強調(diào)，“南極星”(Canopus)將是SK海力士至今的最關鍵發(fā)展計劃之一，因為這是該公司首度應用EUV曝光技術來生產(chǎn)DRAM。不過，報導也引用韓國一位消息人士的說法指出，目前SK海力士當下最重要的問題，是公司是能否透過使用EUV曝光技術來確保其產(chǎn)品的有效競爭力。

事實上，之前有媒體報導指出，SK海力士的競爭對手三星已在2020年3月份宣布，已出貨了100萬個由第4代10納米等級，內(nèi)含EUV曝光技術所生產(chǎn)的DDR4 DRAM模組，并預計將在2021年開始正式大量生產(chǎn)，而且，未來該公司接下來的幾代的DRAM產(chǎn)品將會全面導入EUV曝光技術，這消息對SK海力士來說將會是充滿著競爭性。因此，SK海力士計劃旗下的首款第4代10納米等級DRAM將在2021年推出，這也將使得屆時以EUV曝光技術的存儲器生產(chǎn)市場競爭將更加激烈。